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英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案,采用TO封装,效率达94.6%

发布日期:2023-03-18   浏览量:2053

随着终端产品对氮化镓的加速应用,氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅,氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻,但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地,规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。

近期还推出了采用TO252 / TO220封装的氮化镓新品,并将其应用在120W 双面板适配器方案中,将高效率、高功率密度和高性价比三项特性发挥到极致。

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主要参数

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尺寸

                                                          56mm*46mm*20mm

效率

94.6%@230Vac(without NTC)

功率密度

                                                            38W/in^3

InnGaN

INN700TK240A(TO252)

                                                      INN700TJ240A(TO220F)



02
拓扑结构

Flyback (CCM @90Vac / QR)

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03
封装优势
借助于InnoGaN平面结构的特点,TO252 封装散热PAD 可连接大面积散热铜箔,TO 220 封装散热片加装更加简单;
相比Si MOS,TO 封装的GaN 能够使 Cpe 减小5/6,共模噪音减小5/6;
InnoGaN TO封装的驱动回路G-S与功率回路D-S天然解耦,能将layout设计达到更优。

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04
温升对比
在相同功率方案的测试对比下,采用 TO 封装的 INN700TJ240A 温升表现比 Si MOS 更优,最大温度收益可达到18℃。
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05
方案优势


1. 无PFC架构,输入低压器件损耗大,充分利用GaN Source接散热PAD结构及优化系统设计,使得Demo功率密度和效率达到业界最优,输入90Vac带满载6分钟工况下温升问题也得以解决;

2. 开拓了E-mode GaN TO封装参考设计,将效率和功率密度发挥到极致,为客户提供了应用指导。



06
应用领域


采用TO封装的氮化镓120W大功率方案为手机充电厂商提供了高效率、小体积、高性价比的参考设计,是手机、平板、笔记本电脑等消费类电子产品快充的绝佳选择。

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想要了解更多关于TO252/TO220产品及对应参考方案设计,欢迎在文末留言,或点击对话框与我们联系。


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